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N型 単結晶シリコンウェハー

0.6-1.6 <Ω·cm>

反抗率

≤12 <ppma>

酸素含有量

≤1 <ppma>

炭素含有量

≥800 <µs>

少数キャリア寿命

质料性能

プロジェクト 仕様 検出要领
結晶育成要领 CZ(チョクラルスキー)法 --
結晶性 単結晶 --
導電タイプ N型 PN測定機
寸法 M10:182.2x182.2φ247mm
G12:210x210 φ295mm
G12-R:182.3x210 φ272mm
シリコンウェハー選別機
厚さ M10:90-160?m
G12:90-160?m
G12-R:90-160?m
シリコンウェハー選別機

電気特征

プロジェクト 仕様 検出要领
反抗率 0.6-1.6<Ω·cm> シリコンウェハー選別機
少数キャリア寿命 ≥800 少数キャリア寿命測定機BCT-400
酸素含有量 ≤12 FTIR(フーリエ変換赤外分光剖析装置)
炭素含有量 ≤1 FTIR(フーリエ変換赤外分光剖析装置)

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